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2017 年度 研究成果報告書

独立駆動4探針・磁性探針STMによるスピン偏極した1次元電子系の研究

研究課題

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研究課題/領域番号 15K17464
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 薄膜・表面界面物性
研究機関東京大学

研究代表者

高山 あかり  東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (70722338)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31
キーワードスピン物性 / Rashba効果 / トポロジカル絶縁体 / 輸送特性
研究成果の概要

スピン偏極したバンド構造を持つ物質について電気伝導測定をメインに様々な物性測定を行った。その場4探針電気伝導測定装置を用いてSi(111)微傾斜面上に作成したトポロジカル絶縁体Bi2Se3およびBi2Te3薄膜における輸送特性のステップエッジの効果を明らかにした。また、トポロジカル物質と磁性絶縁体のヘテロ接合構造MnBi2Se4/Bi2Se3におけるバンドおよびスピン構造・構造解析・磁化特性・輸送特性を解明した。さらに、電気伝導測定およびSTM/STS測定により、巨大Rashba効果をもつ表面超構造(Tl, Pb)/Si(111), (Tl, Pb)/Ge(111)の超伝導現象の解明を行った。

自由記述の分野

表面物理

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公開日: 2019-03-29  

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