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2016 年度 研究成果報告書

分子吸脱着に劇的に応答する多孔性一次元電子系物質の創製

研究課題

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研究課題/領域番号 15K17828
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 無機化学
研究機関東北大学

研究代表者

井口 弘章  東北大学, 理学研究科, 助教 (30709100)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2017-03-31
キーワード一次元電子系 / 強相関電子系 / 有機伝導体 / ナフタレンジイミド / 配位高分子 / 電子・電気材料 / 結晶工学
研究成果の概要

分子の吸脱着が可能な多孔性一次元電子系物質の創製を目的に、(1)一次元鎖錯体(MX錯体)、(2)πスタックカラム、を骨格に導入した多孔性配位高分子 (MOF) の研究を行った。
(1)では予期せず安定な平均原子価状態にあるPdBr錯体を得た。この錯体が3-38 Scm-1と、これまでの最高記録から100万倍も高い電気伝導率をもつこと、443 Kという高温まで安定であることを明らかにした。この物性の発現には配位子を含む多重水素結合が重要であると結論付けた。
(2)では、化学還元法や電解還元法を駆使して、πスタックカラムを有するMOFの構築に成功し、還元による伝導性の発現にも成功した。

自由記述の分野

錯体化学、物性化学

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公開日: 2018-03-22  

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