2016 年度研究成果報告書

超高sp3比率アモルファス炭素膜への重水素終端低欠陥化による電子応用の開創

研究課題

研究課題/領域番号	15K18038
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京工業大学
研究代表者	赤坂大樹東京工業大学, 工学院, 准教授 (80500983)
研究期間 (年度)	2015-04-01 – 2017-03-31
キーワード	アモルファス炭素膜
研究成果の概要	同位体から構成されるFCVAアモルファス13C炭素膜を作製し，さらにこれら膜を用いてMIS型素子を作製し, 特性を評価した.FCVA法では一部のみを13Cとすると12Cとの界面抵抗により導入電流通過時の発熱により、良好な膜の堆積ができない。このため13CメタンよりCVD法で作製した膜を用いたMIS素子の特性より，その光吸収・起電力の評価から13Cの持つ電子状態が膜の電子特性に反映されていることが示唆された
自由記述の分野	炭素材料