研究課題
基盤研究(B)
各種電子機器では電源を切っても記憶が消えない不揮発性メモリとして，フラッシュメモリが用いられていますが，消費電力が大きく，読み書きが遅いという欠点があります．本研究では，低消費電力かつ高速動作が可能な不揮発性メモリの一つである強誘電体メモリを大容量化するために，情報を記憶する素子の形状を非常に細い（髪の毛の1/1,000）ナノワイヤとすることを提案し，実際にナノワイヤ素子の作製に成功しました．
電子材料・電子デバイス
低消費電力かつ高速動作が可能な不揮発性メモリの一つである強誘電体メモリを大容量化するために，情報を記憶する素子の形状を非常に細い（髪の毛の1/1,000）ナノワイヤとすることを提案し，ナノワイヤ素子の作製に成功しました．本技術に基づき，素子の性能が向上し，超低消費電力かつ超高集積強誘電体メモリが実現すれば，IoTデバイスやクラウド社会を支えるデータセンター等の省電力化が実現できる可能性があります．
