| 研究課題/領域番号 |
16H05969
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
小川 修一 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (00579203)
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| 研究協力者 |
高桑 雄二
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 熱酸化 / シリセン / 酸化誘起歪み / 点欠陥 |
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| 研究成果の概要 |
優れた電気特性をもつシリセン（ケイ素の原子1層分の薄膜）をケイ素ウェハの酸化によって作製することを目的として、熱酸化の進行が止まる酸化自己停止のメカニズムを調べた。その結果、酸化によって発生する格子の歪みが原因であることがわかった。歪みを緩和するために形成される欠陥がなくなれば酸化反応は停止し、原子1層残して反応を止めることも可能となる。しかしながら、わずかでも光が存在していると酸化は自己停止しないこともわかった。
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| 自由記述の分野 |
反応工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究によりケイ素の酸化反応が自己停止する条件を明らかにすることができた。これにより、絶縁体かつ保護膜として機能するSiO2に囲まれたシリセンを作製できる可能性が高まった。酸化膜で囲まれたシリセンを酸化反応のみで作製できれば、現在の電子デバイスよりも低消費電力で高性能なものが作製可能である。しかしながら現状ではシリセンの電気特性など明らかになっていない点も多く残っているため、今後さらなる研究が必要とされる。
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