| 研究課題/領域番号 |
16K06282
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 奈良工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
藤田 直幸 奈良工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (90249813)
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| 研究分担者 |
平井 誠 長岡工業高等専門学校, 電気電子システム工学科, 准教授 (00534455)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2021-03-31
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| キーワード | 磁場中電析 / 異方性方向制御 / 電磁波吸収材料 / ウェットプロセス形成 |
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| 研究成果の概要 |
アモルファスFe-B薄膜に，外部から磁場を印加して，成膜途中で，磁場印加方向を90°変化させて，磁化容易軸が直交する２層膜の成膜を行った．１層目と２層目で膜の特性のばらつきを抑えるために，溶液温度が一定になるようにポンプを使った溶液供給を考案した．その結果，磁化容易軸が直交する２層の薄膜が電析により容易に作製できることが明らかになった．さらに，新しい金属微粒子内包絶縁膜の作製方法を検討した．Fe-Ni微粒子に高分子電解質を吸着させて，これを水溶性エポキシ溶液に浸漬させて，電析すれば５分で８０μｍ，微粒子含有量２２vol.%の薄膜が得られれることが明らかになった．
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| 自由記述の分野 |
電気電子材料
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
通信が高速になるに伴って，高い周波数で動作する電磁波吸収材料が必要となっている．本研究は，めっき法という安価な方法で，優れた電磁波吸収材料を作ることを目指している．外部から電磁石で磁界を加えながら，めっきすると，磁界を加えた方向が磁石になりやすい膜（磁化容易軸という）ができる．磁界を加える方向をめっきの途中で９０°ずらすことで，膜の厚さ方向で，磁化容易軸が９０°ずれた膜が作製できた．こうすることで，あらゆる方向からくる電磁波が吸収できるようになる．
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