| 研究課題/領域番号 |
16K06288
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 地方独立行政法人大阪産業技術研究所 |
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研究代表者 |
佐藤 和郎 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 和泉センター, 主幹研究員 (30315163)
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| 研究分担者 |
櫻井 芳昭 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, その他部局等, 総括研究員 (50359387)
金岡 祐介 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, その他部局等, 研究員 (60443537)
村上 修一 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, その他部局等, 主幹研究員 (70359420)
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| 研究協力者 |
筧 芳治 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 電子・機械システム研究部, 主任研究員 (90359406)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 酸化物薄膜 / フレキシブル / 薄膜トランジスタ / レアメタルフリー |
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| 研究成果の概要 |
本研究の目的は、ディスプレイやバイオセンサーへの応用を目指し、安価で毒性の無いZn2SnO4（ZTO）を用いて、フレキシブル基板上に高性能薄膜トランジスタ（TFT）を作製する事である。本研究の成果としては、ZTO成膜時の酸素流量比やゲート絶縁膜の厚さがTFT特性に対して大きな影響を与える事を明らかにした事である。また、ZTOウェットエッチング時の特性劣化に対しては、ポストアニールが有効である事を見出した。その結果、フレキシブル基板であるポリイミドフィルム及び超薄板無アルカリガラス上に電界効果移動度が10 cm2/Vsを超える高性能なTFTを作製できた。さらには、インバーター等の試作も行った。
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| 自由記述の分野 |
半導体物性
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究の学術的成果は、ZTO材料を用いたTFTの特性に対し、成膜時の酸素流量比やゲート絶縁膜及びポストアニールが大きな影響を与えることを明らかにした事である。また、インバーターの試作にも成功した。本研究の成果により、レアメタルフリーで環境にも調和するZTO材料を用いて、フレキシブルディスプレイ駆動用TFTやバイオセンサーへの応用可能性を見出す事に成功した。この事は、環境に優しく持続可能な社会の実現に貢献するものであり、社会的意義も大きい。
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