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2018 年度 研究成果報告書

電子欠乏性ホスフィン配位子の開発と触媒反応への応用

研究課題

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研究課題/領域番号 16K08161
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 化学系薬学
研究機関金沢大学

研究代表者

北村 正典  金沢大学, 薬学系, 准教授 (80453835)

研究期間 (年度) 2016-10-21 – 2019-03-31
キーワードトリアジン / π電子欠乏性 / リン配位子 / 金属錯体触媒
研究成果の概要

電子的チューニングのための置換基導入が容易で,かつ,π電子欠乏性であるトリアジンをリン配位子へと組み込むことで高活性な金属錯体触媒を開発することが本研究目的である.合成したトリアジニルホスフィン配位子を用い,種々金属触媒反応の検討を行った結果,特にトリス(トリアジニル)ホスフィン配位子を用いた際に活性向上が見られた.また,トリアジン環上の置換基変換によって,金属錯体触媒の反応性を調整可能であることを明らかとした.

自由記述の分野

生物有機化学

研究成果の学術的意義や社会的意義

金属触媒反応は,様々な化合物を作り出すために現代の有機合成化学には欠かせない.電子不足なトリス(トリアジニル)ホスフィンなどを用いて様々な金属触媒反応の検討を行ったところ,より活性な金属触媒を与えることを明らかとした.得られた成果は,金属触媒反応において学術的に重要な知見となると思われ,その波及効果が高いと期待される.また,金属触媒反応は様々な医薬品や材料物質を作りだすため,実用的な面で,その製造コストを削減できると思われる.

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公開日: 2020-03-30  

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