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2018 年度 研究成果報告書

5d遷移金属におけるフラストレート格子上の強相関電子物性の研究

研究課題

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研究課題/領域番号 16K17732
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 物性Ⅱ
研究機関東北大学

研究代表者

青山 拓也  東北大学, 理学研究科, 助教 (80757261)

研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2019-03-31
キーワード強相関電子物性 / 遷移金属化合物
研究成果の概要

イリジウムが4価の陽イオンとなった場合と同様の電子配置を示す3価のルテニウムを含む化合物に対して電気磁気効果の測定を行った.空間反転対称性の局所的な破れに起因した局所電気分極の磁場効果を観測した.その詳細を明らかにするため赤外吸収スペクトルの測定を行なった.
イリジウムを含むフラストレート磁性体の単結晶育成をおこない,X線結晶構造解析・磁気抵抗効果・比熱の測定を行い,半金属的な伝導特性を示すこと・低温に磁気転移が存在すること・磁気転移温度以下で特異な磁気抵抗効果を示すことを明らかにした.圧力下においても測定を進め,低温の磁気転移付近の電気抵抗率の変化の圧力依存性を測定した.

自由記述の分野

強相関電子物性

研究成果の学術的意義や社会的意義

ハニカム格子上においてボンド依存した強磁性相互作用をもつ場合,その基底状態は量子スピン液体になることが厳密に示されている.また遍歴および局在した分数励起によって有限温度の振る舞いが記述でき,そのうち遍歴自由度がDirac型の分散を示すことからトポロジカルな性質を持つことが指摘されている.我々は磁気誘電測定および赤外吸収スペクトル測定を通じて遍歴自由度の観測を試みた.その結果磁気転移温度以下で顕著な磁気誘電効果を観測するとともに,複数のフォノンに関連した新たな吸収を発見した.

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公開日: 2020-03-30  

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