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本課題では，環境低負荷材料のみで構成され，かつ高効率太陽電池への可能性が期待できるCu2(Sn,Si)S3（CTSiS）の製膜に挑んだ。高性能太陽電池に求められる「禁制帯幅Eg：1.2 eV」を，Snの約12％をSiに置き換えることにより実現した。結晶粒径の増大には620℃以上の高温硫化とNaの添加が有効であったが，高温で硫化することでEg=1.6eVの異相に転移してしまうこともわかった。Si組成の面内分布はターゲット材料の念入りな前処理によって均質化されたが，硫化処理中にSiが気化する問題も残された。
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