|
大面積の単結晶ダイヤモンドウェーハ不足の為に、ダイヤモンド電子デバイスのダウンスケーリングに必要がある。本研究では、水素終端ダイヤモンドトリプルゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。デバイスの電気的特性は、同一基板上に同時に製造されるプレーナ型MOSFETと比較される。トリプルゲートMOSFETの出力電流は、プレーナ型デバイスよりはるかに高く、オン/オフ比とサブスレッショルドスイングは10e8以上と110mV/decである。これらのダイヤモンドトリプルゲート電界効果トランジスタは、ダイヤモンド電子デバイスを実際応用に向けて推進することがある。
|
