2019 年度研究成果報告書

遊走浸潤を介した脳腫瘍幹細胞の放射線逃避システムの解明

研究課題

研究課題/領域番号	17K16668
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	脳神経外科学
研究機関	国立研究開発法人産業技術総合研究所 (2019) 筑波大学 (2017-2018)
研究代表者	孫略国立研究開発法人産業技術総合研究所, 生命工学領域, 研究員 (40757704)
研究期間 (年度)	2017-04-01 – 2020-03-31
キーワード	放射線治療 / 脳腫瘍幹細胞 / 転移 / 浸潤
研究成果の概要	放射線抵抗性を示す脳腫瘍幹細胞様細胞(ONS-F8とA172-T2)を2つの細胞株(ONS-76とA172)から樹立した。A172からはコントロールとして、幹細胞性の弱いA172-T1も樹立した。ONS-F8とA172- T2は解糖系が亢進する、ということがわかった。また、ONS-F8とA172- T2には、放射線0.5～1Gy照射後に浸潤能の亢進が見られた。さらに、リアルタイムPCRを用いて、関連すると思われる遺伝子の発現解析を行った。
自由記述の分野	放射線生物学
研究成果の学術的意義や社会的意義	本研究は、放射線照射後の細胞の遊走浸潤という独自の視点から、脳腫瘍幹細胞様細胞の新たな放射線抵抗性メカニズムを解明しようと試みるものである。研究の成果は、遊走阻止効果を期待した薬剤併用療法に関して、理論的根拠を導くことができる。