| 研究課題/領域番号 |
18063009
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
岩井 洋 東京工業大学, フロンティア研究センター, 教授 (40313358)
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| 研究分担者 |
服部 健雄 東京工業大学, フロンティア研究センター, 客員教授 (10061516)
筒井 一生 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (60188589)
角嶋 邦之 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教 (50401568)
パールハット アヘメト 東京工業大学, フロンティア研究センター, 特任准教授 (00418675)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| キーワード | ばらつき / ゆらぎ / CMOS / ダブルゲート / FinFET / シリサイド / 感度解析 |
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| 研究概要 |
素子の微細化が進む集積回路には新しい三次元立体構造のトランジスタが使われると予想されるが、その構造が大きく変わるため微細化で課題となる特性ばらつきについては未知の部分が多かった。本研究では、デバイスシミュレーションによって様々な構造ゆらぎから生ずる特性ばらつきを体系的に解析し、ばらつきを起こしにくいロバスト性の高いトランジスタ実現への指針を明らかにした。また、これを実現するためのプロセス技術として新しいシリサイド電極の製作について実験的研究を行い、低抵抗の電極形成技術の可能性を示した。
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