研究課題
基盤研究(C)
集積回路の製造において用いられる微細なパターンの光転写において不可避となっている光学近接効果補正に対して、本研究では、設計パターンと製造されるパターンから逆問題を解くことにより補正を実施する手法の検討、パターン転写による製造不良を削減可能であることを示した。さらに、転写におけるばらつきがディジタル設計向けのセルにおける遅延、リークに与える影響の検討を行い、光学近接効果を考慮した場合のセルレイアウトの最適化によりセルのリーク電力低減に効果的であることを示した。
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IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing Vol.21
ページ: 201-208
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration(VLSI)Systems Vol.15, No.6
ページ: 716-720