研究課題
基盤研究(C)
次世代の超高性能情報処理回路を実現する新型トランジスタの設計ツールの開発と、新材料及び新構造を導入する際の設計指針について研究を行った。その結果、新材料として注目されるIII-V族化合物半導体を実用化するには、トランジスタの電極(ソース・ドレイン)構造の設計が重要であること、また、新型ナノワイヤ構造トランジスタでは、準弾道輸送による性能向上が期待できる半面、量子力学的トンネル効果による漏れ電流の増大が微細化限界になり得ることを見出した。上記の成果はいずれも、新型トランジスタの研究開発において大変重要な知見を与えている。
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