| 研究課題/領域番号 |
18H01832
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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| 研究機関 | 東京都立大学 |
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研究代表者 |
宮田 耕充 東京都立大学, 理学研究科, 准教授 (80547555)
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| 研究分担者 |
劉 崢 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 上級主任研究員 (80333904)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| キーワード | 原子細線 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 化学気相成長 |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題では、独自に開発してきた「一次元ヘテロエピタキシャル成長」を利用し、新しい構造・機能を持つ「埋め込み原子細線」の作製を目指した研究を推進してきた。具体的には、二硫化モリブデン等の二次元物質の端を成長起点として別の二次元物質を成長させる。有機金属原料を利用した化学気相成長の技術開発を進め、最終的には3nm程度の原子細線や複数の細線が配列した構造体の形成に成功した。
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| 自由記述の分野 |
物質科学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究により、幅が精密に制御された細線構造の新たな合成手法が確立し、このような原子細線における量子効果や一元輸送現象の物理、そして新規な構造・特徴を持つ光電子デバイスなど基礎・応用の両面で新たな展開が可能となる。また、原子細線の配列構造を利用することで、細線と二次元物質、もしくは細線同士の近接相互作用による新しい機能性材料の開拓が期待される。
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