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世界的な安心・安全な生活環境の確立と、超高速・超大容量化する情報化社会への対応等を、地球環境保護を確保して達成させる事を目的に、ミストCVDによるAlGaOx系深紫外発光素子と高移動度トランジスタの作製に挑戦した。各種機能膜の組成や特性を操作する術を確立し、酸化ガリウム系機能膜の表面粗さを操作する術やそれらを合成する時にミストCVDを用いる事の利点などを見出した。またSBDやHEMT等の形成と駆動を確認し、AlNと同等の6.22eVにもおよぶバンドギャップを有するSi:AlGaOx薄膜デバイスの駆動に成功した。一方、予算に関する問題や新型感染症対策禍のため一部研究を断念せざるをえず悔やまれる。
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