本研究課題において、SF過程を示す分子をOLEDにおけるホスト材料として用いることで、励起子生成効率が100%を超える世界初のSF型OLEDを実現した。また、TADF過程の基礎物理を明らかにした。そしてこれらの学術的知見を基に、TADF過程とSF過程という二つの異なるスピン変換機構を融合することで、従来信じられていた励起子生成効率の理論限界値を超えることができる可能性を見出した。これにより、OLEDの特徴を生かしつつ、その発光強度は飛躍的に向上し、これまで想定されてきた用途のみならず、センサ光源や通信用光源等の新たな有機エレクトロニクス分野の学術・産業領域を開拓・創成できると期待される。
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