研究成果の概要 |
本研究では, 窒素プラズマによるAlN転換層形成機構を利用して、rf反応性スパッタリング法であってもAlN(0002)配向性のあるAlN膜の形成に成功した. さらに, AlN成長過程におけるチャンバー内圧力, 窒素流量比の依存性を明らかにした. 加えて, 今回初めて定性的ではあるが, Al2O3およびAlN転換層基板におけるAlN堆積モデルを提案することができた.加えて,反応性RFスパッタリング法を用いることでサファイア基板上にInAlN混晶を結晶成長させることができた.さらに,AlN転換層上にInAlN混晶をスパッタすることで結晶性を向上させることができると分かった.
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