|
電界効果によって、キャリアを多様なトポロジカル絶縁体に注入して、新規な超伝導体を実現するとともに、圧力を印加することで超伝導特性を制御することを目標とした。本研究課題を通じて、AgをドープしたBi2Se3に電界効果によりキャリア注入して電気特性を調べる実験（電界効果トランジスタ(FET)特性実験）を遂行した。また、x とyを変えることでフェルミレベルやディラック点の位置を制御したBi2-xSbxTe3-ySeyの高圧での電気特性を調べ、超伝導の出現を確認した。それらの極薄単結晶を活性層としてイオン液体を使った電気二重層（EDL）FETを作製し、高圧でのトランジスタ特性を調べる試みを進めた。
|
