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熱窒化SiGe上へのSiGe堆積によるSiGe中へのN 原子層ドーピング、並びに、歪SiGe表面に形成したP原子層上へのSi堆積の低温化・高速化によるP原子層ドーピングの超高濃度化を実現した。また、Si上へのB原子層形成とその上へのSi堆積の低温化によるB原子層ドープSiにおける超高キャリア濃度化を実現した。さらに、歪SiGe/Siヘテロ界面へのC原子層ドーピングによる相互拡散と歪緩和の抑制、並びに、SiGeやBドープSiエピタキシャル薄膜の熱CVDにおいて、歪が表面反応・偏析・固溶限界・不純物電気的活性化に大きな影響を与えることも明らかにした。
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