研究課題
基盤研究(B)
シリコン等の半導体をスピントロニクス材料に活用するための普遍的な伝導電子スピン偏極度(CEP)測定方法として,ミュオニウムスピン交換反応法の確立を目指し,GaAsの円偏光キャリア励起により,ミュオンがCEPに高い感度を持つことを,初めて証明した.さらにSiへの歪GaAs蒸着膜を介した光励起電子注入により,Si中での3μs以上の長いキャリア寿命と,キャリア拡散の様子の観測に成功し,この方法の普遍性を示した.
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Physica B 404
ページ: 856-858
ページ: 1013-1016
Surf. Int. Analysis 40
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