| 研究課題/領域番号 |
19360132
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電力工学・電気機器工学
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| 研究機関 | 首都大学東京 |
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研究代表者 |
清水 敏久 首都大学東京, 大学院・理工学研究科, 教授 (30254155)
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| 研究分担者 |
大橋 弘道 産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター, 副センター長 (60361763)
和田 圭二 首都大学東京, 大学院・理工学研究科, 准教授 (00326018)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| キーワード | 省エネルギー / 電気機器工学 / 新エネルギー / 電気自動車 / インバータ |
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| 研究概要 |
次世代半導体として期待されるシリコンカーバイド(SiC)スイッチング素子を用いた高性能インバータの普及を目指して、究極の高効率化と小型化の両立が期待できる薄平面形状のインバータの基盤技術研究を行った。成果は、(1) 厳密な損失計算による高密度設計に必要な損失計算手法の開発(2) 高電力密度化の障害となる受動デバイス(けインダクタ)の損失計算・計測法の開発(3) 最適設計手順の開発(4) 最適な変調法の探索(5) 高電力密度時に深刻化するノイズ障害防止策(6) 薄平面形インバータの試作・評価である。
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