2008 年度研究成果報告書

原子層成長ゲート絶縁膜を有するGe高信頼性トランジスタの研究

研究課題

研究課題/領域番号	19360164
研究種目	基盤研究(B)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	広島大学
研究代表者	中島安理広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (70304459)
研究分担者	横山新広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (80144880)
研究期間 (年度)	2007 – 2008
キーワード	Ge基板 / MOSトランジスタ / 原子層成長 / ゲート絶縁膜 / 信頼性
研究概要	tetrakis diethylmethylamino hafnium(TDEAH)とH_2Oの交互照射を用いたGe基板上へのHfO_2の原子層成長(ALD)法の確立を行った。ラザフォード後方散乱による組成分析、原子問力顕微鏡による膜平坦性の評価を行い、化学量論的な組成を持つ平坦なHfO_2膜が得られる条件を見出した。MISキャパシタの容量-電圧特性とゲートリーク特性を測定し、電気的にも良好なゲート絶縁膜が得られている事を確認した。これにより、ALD法により堆積したゲート絶縁膜を有するGe高信頼性トランジスタの実現の見通しができた。