溶融塩-シリコン交換反応によるβ-鉄シリサイド半導体創製の物理化学

2009 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 19360342
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 金属生産工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 森田 一樹 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (00210170)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2009
• キーワード: 環境材料 / 金属生産工学 / 結晶成長 / 太陽光発電 / 表面・界面物性

研究概要

Fe-Si二元系液相からの直接生成が困難であったβ-FeSi2を、溶融塩-Si交換反応によりSiウェハ表面に析出させる方法を考案した。さらに、この析出方法を拡張させ、β-FeSi2薄膜へのCo、Niなどのドーパントの導入方法を提案し、作製した薄膜に対して電気特性および光学特性を評価した。

研究成果

• [雑誌論文] Preparation of Co-added β-FeSi_2 by Cation-exchange Reaction between Molten Salts and Si (2010)
  • 著者名/発表者名: Motohiro Sakamoto, Kazuki Morita
  • 雑誌名: Materials Transactions vol.51, No.1 ページ: 90-93
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of b-FeSi_2 Layers on Si(100) Substrates by Exchange Reaction between Si and Molten Salts (2007)
  • 著者名/発表者名: Tsuyoshi Yoneyama, Takeshi Yoshikawa, Kazuki Morita
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 46 ページ: 5233-5237
  • 査読あり
• [学会発表] Characterization of β-FeSi_2 Film Synthesized by Exchange Reaction between Si and Molten Salts (2009)
  • 著者名/発表者名: Motohiro Sakamoto, Kazuki Morita
  • 学会等名: TMS 2009 Annual Meeting & Exhibition
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 2009-02-15
• [学会発表] 溶融塩-Si交換反応によるβ-FeSi_2膜の作製と評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 坂元基紘、米山毅、森田一樹
  • 学会等名: 日本金属学会143回
  • 発表場所: 熊本
  • 年月日: 2008-09-24
• [備考] ホームページ等
• [産業財産権] β-FeSi_2形成方法および電子デバイス作成方法 (2007)
  • 発明者名: 森田一樹、吉川健、米山毅
  • 権利者名: 国立大学法人東京大学
  • 公開番号: 特許,特開2007-281411
  • 出願年月日: 2007-10-25