研究課題
若手研究(B)
高周波において基板バイアスがMOSFETの特性におよぼす影響を調べるための基礎技術として、4ポートのde-embedding技術の開発をおこなった。OPEN、SHORTなどのダミーパターンを利用した方法だと、誤差が大きいこと知られているので、THRUダミーパターンだけを使った4ポートデバイス用の方法を考案した。この方法をオンチップ差動伝送線路の評価に用いたところ、有効性を確認できた。
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