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近年、超低消費電力を実現するスピンの操作方法として、電圧による界面垂直磁気異方性の変調効果(VCMA効果)が注目を集めている。本研究では、これまで限られた報告しかなかった六方晶Co系強磁性体のVCMA効果の系統的な調査とそのためのトンネル障壁層の開発に取り組んだ。アモルファストンネル障壁層を用いた検討で、界面酸化、Co膜厚、ポストアニール、異種元素挿入の効果について有用な知見を得、多結晶体としては大きなVCMA効果を得ることに成功し、六方晶系の強磁性体のポテンシャルを示した。加えて、六方晶結晶トンネル障壁の開発にも取り組んだ。
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