| 研究課題/領域番号 |
19K05006
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分26020:無機材料および物性関連
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| 研究機関 | 青山学院大学 |
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研究代表者 |
元木 貴則 青山学院大学, 理工学部, 助教 (00781113)
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| 研究分担者 |
下山 淳一 青山学院大学, 理工学部, 教授 (20251366)
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| 研究期間 (年度) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| キーワード | 希土類系高温超伝導体 / 後熱処理 / 積層欠陥 / 薄膜 / 単結晶 / 水蒸気 |
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| 研究成果の概要 |
液体窒素温度を超える高い臨界温度を有する希土類系高温超伝導体の配向材料（単結晶、溶融凝固バルク、薄膜）について、含水蒸気雰囲気中で後熱処理することにより定量的に積層欠陥を導入する手法の開発に成功した。本研究の成果として、既製の材料に対する後熱処理という汎用的な方法で臨界電流特性の改善や酸素拡散の高速化を可能とし、様々な配向材料に対してその効果を実証した。
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| 自由記述の分野 |
材料科学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
500℃以下の低温の含水蒸気熱処理を行うことで、汎用的に希土類系高温超伝導体配向材料に対して積層欠陥を定量的に導入する手法を確立した。本手法の成果として、単結晶や溶融凝固バルク磁石材料に対しては、積層欠陥導入によって従来数百時間を要していた酸素アニール過程の高速化が実現し、薄膜材料に対しては200℃以下の含水蒸気後熱処理による超伝導特性（特に臨界電流特性）の大幅な改善が可能となった。本手法は後熱処理による高機能化手法であるため、既製の超伝導薄膜線材に対して汎用的に適用可能である点で非常に有用であると考えている。
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