|
本研究では主に(A)AIを用いた欠陥位置およびパターン推定法の開発およびその高精度化，および(B)欠陥動作の解析結果に基づくテストパターン生成法，にテーマを絞り開発を進めた．(A)に関しては，LSIデバイスおよびレイアウトの両方に着目し，少数の欠陥情報に基づいて欠陥位置およびパターンを高精度に推定する手法を開発した．(B)に関しては，消費電力量制約下における欠陥動作を考慮したテストパターン生成法を開発した．これらを組み合わせることによって，大規模半導体デバイスの欠陥レベルの高精度な見積りおよび削減が可能になると期待される．
|
