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我々は、Ge表面の原子層レベル酸化とウエットエッチングを繰り返す処理を数十回以上行うことで、Ge表面の粗さが著しく低減すること、さらには、この表面平坦化の効果によりGeチャネル中の移動度が大幅に向上することを明らかにした。また、半導体プロセスへの適用を考慮すると、ドライプロセス化が望まれることから、O2プラズマ/ハロゲン系プラズマの酸化/エッチングを用いて、完全ドライプロセスによるGe表面の原子層エッチング技術を確立した。プラズマ制御により、Ge表面の酸化プロセスとヨウ化水素プラズマによる吸着/脱離プロセスについてに解析を行い、半導体ドライプロセスとしての適応性を確認した。
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