パワーMOSFETの理論限界を下回る低損失を実現する手段として、補助チャネルと蓄積層を追加したアシストゲート(AG)構造とその制御技術の組み合わせを採用した低耐圧パワーMOSFETを提案した。構造設計と制御設計を行い、AG構造の理論限界を導出した。 令和元年度の実績は、理論限界を下回るオン抵抗が得られることを明らかにした。令和二年度の実績は、理論限界よりターンオフ損失が10%、ターンオン損失が27%低減できることを明らかにした。以上の結果からアシストゲート(AG)構造とその制御技術の組み合わせを採用した低耐圧パワーMOSFET理論限界を下回る低損失を実証した。
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