| 研究概要 |
高感度遠中間赤外線検出器であるゲルマニウムBIB検出器を分子線エピタキシャル結晶成長(MBE)と表面活性化常温接合(SAB)法を用いて開発した。MBE法により暗電流低減に必要な高純度(5x10^14/cc)と透明電極に必要な急峻な界面を達成した。また、SAB法によりBIB構造を形成し、BIB検出器に特有のI-V特性、カットオフ波長の増大、そして暗電流の低減を確認した。(Wada et al. 2010, doi:10.1109/ICIMW. 2010.5612570 ; Watanabe et al. 2011,JJAP, 50, 015701 ; Kaneda et al.2011,JJAP accepted)
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