研究課題
基盤研究(A)
これまでのCMP(Chemical Mechanical Polishing)特性・メカニズムを踏まえて,ユニークな密閉式の両面同時ベルジャー(チャンバー)型CMP装置を設計・試作した.その結果,高圧酸素雰囲気の密閉ベルジャー内で,紫外線を照射しつつ光触媒反応を援用した高効率CMP法と両面同時加工法の革新的融合装置を実現した.とくに難加工材料のSiC基板については,従来加工法の4.5倍の加工能率が得られ脚光を浴びている.
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Advances in Science and Technology Vol.64
ページ: 65-70
Key Engineering Materials Vols.447-448
ページ: 61-65