研究課題
基盤研究(B)
エックス線照射により分子欠陥を導入制御した分子ダイマーモット絶縁体において, バンド幅制御により発現する金属-モット絶縁体転移近傍における強相関電子に対する乱れの影響を明らかにした. 乱れによる電子局在絶縁体化であるアンダーソン局在状態と電子相関によるモット絶縁体状態が拮抗した状態では, 弱相関金属側, 強相関絶縁体側の両方からモット転移点により近づくほど少ない乱れでアンダーソン局在化することを見出した.
すべて 2012 2011 2010 2009 2008 その他
すべて 雑誌論文 (9件) (うち査読あり 9件) 学会発表 (7件) 図書 (2件) 備考 (1件)
Crystals
巻: 2 ページ: 374-392
日本物理学会誌
巻: No.7(印刷中) ページ: 67
Phys. Status Solidi B
巻: 249 ページ: 947-952
J. Phys. Soc. Jpn.
巻: 80 ページ: 104703-1-10
Phys. Rev. B
巻: 82 ページ: 125119-1-5
巻: 79 ページ: 063706-1-4
Phys. Rev. Lett
巻: 104 ページ: 217003-1-4
Nature Physics 5
ページ: 44-47
Phys. Rev. Lett.
巻: 101 ページ: 206403-1-4
http://cond-phys.imr.tohoku.ac.jp/