研究課題
基盤研究(B)
強磁性体UIrにおいて,高圧下で2つの構造相転移が存在することを発見し,高圧相IIIにおいて強磁性臨界点および超伝導が誘起されることを明らかにした.III相は低温で不安定で,超伝導によるマイスナー効果が小さい原因と考えられる.重い電子系超伝導体CeCu_2Si_2において,転移温度の増大にともなうホール効果の異常を発見した.Ceイオンの価数転移による電荷ゆらぎに起因する可能性があり,超伝導機構に関連していると考えられる
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