研究課題
基盤研究(B)
Langmuir-Blodgett法を利用した高分子ナノ集積体による極薄自立膜作製技術の確立を目指し、架橋反応基を有する両親媒性高分子材料を用いて、厚さ10nmの極薄自立膜の作製に成功した。得られた極薄自立膜についてバルジ試験や表面粘性の測定を行うことにより、高分子ナノ集積体そのものの物性評価を行えることが明らかとなった。バルクに比べ、非常に大きな伸び率を示した。今後フレキシブルな機能性極薄自立膜としての展開が期待できる。
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