シリコン単電子・量子・CMOS融合3次元ナノ集積回路システムに関する研究

2010 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 20360152
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 中央大学 (2011-2012); 東京大学 (2008-2010)
• 研究代表者: 竹内 健 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (80463892)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2012
• キーワード: メモリ / SSD / 3次元LSI / 電源 / 低消費電力 / フラッシュメモリ / 強誘電体

研究概要

本研究の目的は、10nm以下のサイズで室温動作するシリコン単電子デバイス・量子デバイスとCMOSデバイスを3次元構造に集積化したナノ集積回路システムを可能にすることである。特に10nmサイズで256Gbitの大容量、100MByte/secの超高速な単電子メモリを可能にし、10年後の日本の半導体産業を牽引する基盤技術の構築を目的とする。

研究成果

• [雑誌論文] A 0.5-V 6-Transistor Static Random Access Memory with Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors (2010)
  • 著者名/発表者名: Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 49 ページ: 121501-121509
  • 査読あり
• [雑誌論文] フラッシュメモリの最新技術動向-SSDへの応用 (2008)
  • 著者名/発表者名: 竹内健
  • 雑誌名: 情報処理 vol.49, no.9 ページ: 1090-1098
• [学会発表] Ferroelectric-gate FET for Flash Memory & SRAM application (2011)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: ITRS Emerging Research Devices and Emerging Research Materials Meeting
  • 発表場所: ミラノ/イタリア
  • 年月日: 20110400
• [学会発表] Current Status and Future Challenge of Fe-NAND/SRAM Cell Technology (2010)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-09-25
• [学会発表] A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T-SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin (2009)
  • 著者名/発表者名: Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
  • 発表場所: ボルチモア/USA
  • 年月日: 20091200
• [学会発表] Effect of Resistance of TSV's on Performance of Boost Converter for Low Power 3D SSD with NAND Flash Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Conference on 3D System Integration (3D IC)
  • 発表場所: サンフランシスコ/USA
  • 年月日: 20090900
• [学会発表] Inductor Design of 20-V Boost Converter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Tadashi Yasufuku, Koichi Ishida, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Symposium on Low Power Electronics and Design (ISLPED)
  • 発表場所: サンフランシスコ/USA
  • 年月日: 20090800
• [学会発表] A 1.8V 30nJ Adaptive Program-Voltage (20V) Generator for 3D-Integrated NAND Flash SSD (2009)
  • 著者名/発表者名: Koichi Ishida, Tadashi Yasufuku, Shinji Miyamoto, Hiroto Nakai, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai, Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), pp.238-239
  • 発表場所: サンフランシスコ/USA
  • 年月日: 20090200
• [学会発表] Memory System Innovation with SSD and Emerging Memories (2009)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Memory Forum F-1
  • 発表場所: サンフランシスコ/USA(招待講演)
  • 年月日: 20090200
• [学会発表] Novel Co-design of NAND Flash Memory and NAND Flash Controller Circuits for sub-30nm Low-Power High-Speed Solid-State Drives (SSD) (2008)
  • 著者名/発表者名: Ken Takeuchi
  • 学会等名: IEEE Symp.on VLSI Circuits, pp.124-125
  • 発表場所: 京都
  • 年月日: 20080600
• [備考] ホームページ
  • URL: http://www.lsi.t.u-tokyo.ac.jp/index.html
• [産業財産権] 不揮発性半導体記憶装置 (2008)
  • 発明者名: 竹内健, 他4名
  • 権利者名: 東京大学
  • 出願年月日: 2008-10-20