研究課題
基盤研究(C)
高圧Arガス中でのCuとグラファイトのレーザー蒸発法により,一次元ナノ複合構造,Cuナノワイヤーを完全に内包するカーボンナノチューブが触媒フリーで形成できることがわかった。また,Siとグラファイトのレーザー蒸発法でも,2種類の一次元ナノ複合構造,SiCナノワイヤーを完全に内包するカーボンナノチューブとSiCナノワイヤーが形成された。高温・高密度の条件でカーボンとCuまたはSiの溶融体が形成され,析出成長が起こることを示唆する。
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