研究課題
基盤研究(C)
触媒金属を用いた大気圧CVD法によるZnO、CdO、MgO 及びSnO_2のナノ構造体の成長に成功した。高基板温度で成長したZnO及びCdOナノロッドは気相-液相-固相成長と気相-固相成長の競合により円錐化していた。このZnOナノロッドの円錐化の抑制にZnとH_2Oの原料交互供給法が有効であることが明らかになった。さらに大気圧CVD法で作製したコア/シェル構造におけるシェル層材料候補Cu-Ga-O薄膜では強い黄色発光が観察された。
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