研究課題
基盤研究(C)
先在欠陥の無い単結晶シリコンのヘルツ押し込み試験においては、圧子接触部でシリコンのダイヤモンド構造がアモルファス構造に変化し、その際弾性波が周囲に放出される。この弾性波が表面を伝播する際の動的応力と、既に圧子周囲に存在するヘルツの静的引張り応力との重畳により表面の局所的な多結晶化が起こり、そこで交差すべりが起きる際、粒界でボイドが生成される。またシリコンのき裂進展は、進展に伴う動的効果の大小によって、破面の3形態すなわちミラー、ミスト、ハックルが現れる。
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すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (1件) 備考 (1件)
CHIP Annals-Manufacturing Technology Vol.59, No.1
ページ: 559-562
精密工学会誌 Vol.76, No.4
ページ: 420-427
The international journal of nanomanufacturing Vo1.6, No.1
ページ: 12-21
CIRP Annals Manufacturing Technology Vo1.58, No.1
ページ: 69-72