研究課題
若手研究(B)
超低エミッタンス電子ビーム生成のための基礎研究として、主に以下の4つの成果を得た。(1)ビーム電流50μAでのカソード寿命試験を行い、約120時間(引出し電荷量で20C)の結果を得た。(2)モードロックレーザーを用いたピコ秒幅の電子ビーム生成試験を行い、最大でバンチあたり28pCの電子ビームを生成した。(3)試験電極の製作を行い、モリブデン製カソード電極の再エージングでは放電1回あたり約0.4kVの放電電圧の向上を再確認した。(4)200kV電子銃開発の結果を生かしERL用実機レベルとなる500kV電子銃の設計を行った。
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