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2009 年度 研究成果報告書

固液界面を反応場として用いた有機結晶成長の完全制御と電子デバイスへの応用

研究課題

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研究課題/領域番号 20760485
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 材料加工・処理
研究機関東北大学

研究代表者

吹留 博一  東北大学, 電気通信研究所, 助教 (10342841)

研究期間 (年度) 2008 – 2009
キーワード有機結晶 / グラフェン / 電子デバイス
研究概要

本研究では、固液界面反応場におけるルブレン・グラフェン等の有機結晶の成長過程の制御とその電子デバイスへの応用に関する研究を、原子間力顕微鏡などの原子レベル構造解析手法を用いて、行った。ルブレン結晶に関しては、デバイス応用に資するほぼ完全な結晶が得られ、一方、グラフェンに関しても高品質なグラフェン単結晶膜をシリコン基板上に作製することに成功し、また、その電子物性を制御する方法を確立した。

  • 研究成果

    (9件)

すべて 2010 2009 その他

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (3件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Epitaxial Graphene on Silicon Substrate2010

    • 著者名/発表者名
      末光眞希、吹留博一
    • 雑誌名

      Journal of Physics D 43(印刷中)

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth Processes of graphene on Si Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      吹留博一、半田浩之、斎藤英司、末光眞希
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 49

      ページ: 01AH03-1-01AH03-4

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Raman Spectrscopy of grapheneon 3C-SiC thin films on Si Substrates2009

    • 著者名/発表者名
      宮本優、半田浩之、吹留博一、末光眞希
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface and Nanotechnology 7

      ページ: 107-109

    • 査読あり
  • [雑誌論文] High-resolution molecular images of rubrene single crystals obtained by frequency modulation atomic force microscopy2009

    • 著者名/発表者名
      湊丈俊、青木洋人、吹留博一、トーステン・ワグナー、板谷謹悟
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95

      ページ: 093302-1-093302-3

    • 査読あり
  • [学会発表] Epitaxial growth of graphene on various silicon substrates2009

    • 著者名/発表者名
      吹留博一、宮本優、半田浩、高橋良太、今泉京、末光眞希
    • 学会等名
      Solid State Electron Devices 2009
    • 発表場所
      仙台エクセルホテル東急
    • 年月日
      2009-10-08
  • [学会発表] グラフェン・オン・シリコンの基板面方位依存性2009

    • 著者名/発表者名
      吹留博一、宮本優、半田浩之、斎藤英司、末光眞希
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] シリコン基板上のグラフェン形成過程のRaman分光による観察2009

    • 著者名/発表者名
      宮本優、半田浩之、吹留博一、伊藤隆、末光眞希
    • 学会等名
      第56回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-31
  • [備考]

    • URL

      http://www.suemitsu.riec.tohoku.ac.jp/subjects.html

  • [産業財産権] グラフェンの低温形成法2010

    • 発明者名
      吹留博一、今泉京、末光眞
    • 権利者名
      東北大学、日本原子力研究開
    • 産業財産権番号
      特許特願2010-045842
    • 出願年月日
      2010-03-02

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公開日: 2011-06-18   更新日: 2016-04-21  

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