大気圧下プラズマを適用したミストCVD法によるZnO薄膜の室温下成長

2009 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20860081
• 研究種目: 若手研究(スタートアップ)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 高知工科大学
• 研究代表者: 川原村 敏幸 高知工科大学, ナノデバイス研究所, 助教 (00512021)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2009
• キーワード: ミスト化学気相成長(CVD)法 / 大気圧プラズマ / 薄膜成長 / 酸化亜鉛(ZnO) / ミスト液滴 / 機能薄膜 / 薄膜エッチング

研究概要

省エネルギ省資源な手法であるミスト化学気相成長(CVD)法を、低温領域でも高効率に高品質な薄膜を作製する技術とする為に、本法に対して大気圧プラズマを適用した装置を考案し、試作した。また本技術開発に伴い、反応場におけるミスト液滴の挙動に注目し、反応が非常に高効率に進行していることを明らかとした。さらに関連技術としてミストを利用した新たなエッチング技術を開発した。

研究成果

• [学会発表] ミスト法を用いた新規エッチング手法の開発 (2010)
  • 著者名/発表者名: 川原村敏幸
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] ミスト技術の応用-薄膜作製技術への挑戦- (2009)
  • 著者名/発表者名: 川原村敏幸
  • 学会等名: CVD研究会
  • 発表場所: 名古屋大学環境総合館LH
  • 年月日: 2009-12-04
• [備考]
  • URL: http://repository.kulib.kyoto-u.ac.jp/dspace/handle/2433/57270
• [備考]
  • URL: http://www.kochi-tech.ac.jp/kut_J/university/pdf/prof/kawaharamure-toshiyuki.pdf
• [産業財産権] ミストエッチング装置及びミストエッチング方法
  • 発明者名: 川原村敏幸
  • 権利者名: 高知工科大学
  • 産業財産権番号: 特許権特願2010-45991