| 研究成果の概要 |
磁気特性に優れたBiFeO3系強磁性・強誘電薄膜を作製するため、レーザーアシスト加熱機構を導入して最大加熱温度を200℃程度増大させたところ、飽和磁化を1.5倍近く増大させることに成功した。また、Aサイトを置換するランタノイド元素にLa, Nd, Sm, Gd, Dy、Bサイトを置換する遷移元素にCo, Niを用いたところ、NdとCoを使用した場合には大きな飽和磁化、LaとNiを使用した場合には大きな垂直磁気異方性、LaとCoを用いた場合には大きな磁気Kerr回転角が得られた。また、BiFeO3系薄膜とCo/Pd薄膜との積層膜において、積層膜への電界印加によるCo/Pdの磁化反転を確認した。
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