| 研究課題/領域番号 |
20K03801
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
宮本 辰也 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 助教 (40755724)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| キーワード | テラヘルツ電場誘起相転移 / ポンプ－プローブ分光 / 強相関系 / 量子トンネル効果 / 絶縁体－金属転移 |
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| 研究成果の概要 |
3 MV/cmを超える電場強度を持つ高強度テラヘルツパルスをポンプ光として利用したテラヘルツポンプ－広帯域光プローブ分光測定系を開発した。それを強相関系絶縁体である一次元モット絶縁体ET-F2TCNQ、励起子絶縁体Ta2NiSe5、電荷秩序絶縁体Gd0.55Sr0.45MnO3に適用した結果、テラヘルツ電場による量子トンネル効果によってキャリアが生成し、それをきっかけとして絶縁体－金属転移が生じることが明らかになった。
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| 自由記述の分野 |
固体の光物性
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究で実証したテラヘルツ電場誘起絶縁体－金属転移は、光励起の場合と比較して高効率であった。そのため、テラヘルツパルスを利用した新しい動作原理を持つ省電力の光スイッチへの応用が期待される。また、量子トンネル過程に基づいたキャリア生成は、元素置換による化学的キャリアドープが困難な物質も含め、様々な強相関系物質にキャリアを注入する新しい手法として、広く利用できると考えている。
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