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レーザー誘起表面凹凸形成法を用いた外部変調可能なGaN表面凹凸ランダムレーザー作製法を提案し、特定の作製条件においてしきい値が最小となるだけでなく、印加する外部磁場の強さに応じてレーザー発振強度が変化する様子を確認し、スイッチング動作が可能となることを示した。また、磁場以外の外部刺激応答についても研究を進め、レーザー加熱によるVO2粒子の絶縁体―金属相転移を利用したランダムレーザーのスイッチング動作にも成功した。さらにプラズマエッチング手法を用い、外部変調機能や電気駆動化が可能な新たなランダムレーザー作製法の提案を行った。
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