本研究の中で提案した結晶成長SiNWsの成長方位制御手法と架橋集積手法は良好な結果を示し、これは熱電特性評価構造や発電モジュールの構築だけでなく、ナノワイヤを用いた様々な微小センサや電子素子の構築へと貢献しうるものである。またこれまでに報告されているp型シリコンナノ構造のゼーベック係数は、同キャリア濃度ではバルクの傾向よりも大きく下回る低い傾向にあったが、コアシェル構造化はナノ構造の傾向を変化させる可能性を持つことが示され、これはナノ構造を用いた熱電発電モジュールの性能向上に貢献しうるものである。
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