| 研究成果の概要 |
本研究では, 強磁性金属から有機分子へスピン注入する過程において重要な役割を果たす,強磁性金属に吸着した有機分子のキャリア輸送機構の研究が可能な電界効果型トランジスタ構造の検討を行った. 適切な強磁性ナノドット構造と有機分子層を組み合わせた有機-無機ハイブリットチャネル層において磁気抵抗効果が生じることが明らかとなり, 有機-無機界面のスピン依存キャリア輸送機構を解明する基盤を確立することに成功した.
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究により, 電荷注入機構, スピン注入・検出機構, キャリア輸送特性など多くの物理機構が複雑に織り込まれた従来のスピンバルブ型素子では調べることが困難であった強磁性体に吸着した有機分子間のキャリア輸送特性を調べる基盤的な素子が確立された. これにより, 有機無機界面の学術的理解が進み, 将来的に有機-無機ハイブリット界面を用いた新デバイスの実現に貢献していくと期待される.
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