初年度は設計した18F (211At)-BzGKP-PSMAの標識合成前駆体であるNH-GKP-PSMAおよび B(pin)-Ph-COOt-Buと、ヨウ素体化合物であるI-BzGKP-PSMAの合成を達成した。次年度はB(pin)-Ph-COOt-Buの脱保護条件の検討とBzGKP-PSMAの効率的合成法の開発を達成した。最終年度では、I-BzGKP-PSMAの収率の向上を達成した。また、標識前駆体B(pin)-BzGKP-PSMA-Resinを合成し211Atによる標識の検討を行った。結果Resin残基を残したままだと標識反応が起こらないことが判明した。
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