グラフェンナノリボン(GNR)は次世代の電子デバイスの根幹を担う半導体材料として、近年活発に研究がなされている。GNRは幅やサイズによって、光電子的特性が大きく変化するため、目的とする物性を引き出すためには、GNRの分子構造を精密に制御することが必要である。本研究では、多孔性金属錯体(MOF)が有する一次元状のナノ細孔を反応場として用いることで、原子レベルで構造が制御されたGNRを、簡便かつ大量に合成することに成功した。これにより、GNRの集積状態の精密制御も可能になり、GNRを基盤とした物質科学や応用展開が大幅に加速されることが期待される。
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